睿能科技全資子公司 股票簡稱:睿能科技 股票代碼:603933

全新高壓MOSFET高效支持大小功率應用

英飛淩壯大現有的CoolMOS™技術產品陣容,推出600 V CoolMOS™ P7和600 V CoolMOS  C7 Gold (G7)係列。這兩個產品係列的擊穿電壓高達600 V,具備更出色的超結MOSFET性能。它們可在目標應用中實現非常出色的功率密度。

 

 

600 V CoolMOS P7 :高效率和易用性的優化組合

 

新推出的P7樹立效率標杆並具備更高的性價比,可大大簡化設計。該器件的目標應用包括充電器、適配器、照明裝置、電視、PC電源、太陽能、服務器、電信和電動汽車充電等,其功率級別從100 W到15 kW不等。在不同的拓撲中,600 V CoolMOS P7能夠將目標應用的效率提高1.5%,並且,相比競爭產品而言,工作溫度最多可降低4.2 °C。

 

表麵貼裝(SMD)和通孔封裝型號的導通電阻R DS ( on ) 範圍均為37 - 600 mΩ,因此,600 V CoolMOS P7適合功率範圍很寬的多種應用。此外,超過2 kV(HBM)的出色的防靜電能力可保護器件免受生產中的靜電放電損壞,從而有效提高製造品質。最後,堅固耐用的體二極管能在LLC電路中硬換向事件期間保護器件。

 

600 V CoolMOS C7 Gold (G7) :一流的 FOM 采用 創新型無引線 SMD TO 封裝

 

G7具備較低的導通電阻R DS(on)、最小的柵極電荷Q G,同時存儲於輸出電容的能量減少,並具備無引線TO封裝的4管腳開爾文源極能力。這可以最大限度降低PFC和LLC電路中的損耗,並將性能提升0.6%,同時提高PFC電路的滿載效率。G7隻有1 nH的極低源極寄生電感,也有助於提高效率。

 

G7采用無引線TO封裝,熱性能得以改善,適用於大電流的設計,同時SMD工藝有助於降低安裝成本。此外,600 V G7具備業界最低的導通電阻R DS(on) ,從28 mΩ到150 mΩ不等。相比傳統的D 2PAK封裝而言,該器件的表麵積、高度和占板空間分別減小30%、50%和60%。所有這些特性,使該器件成為服務器、電信、工業和太陽能等應用領域實現最高效率並樹立功率密度標杆的理想選擇。

 

供貨情況

 

600 V CoolMOS P7與600 V CoolMOS C7 Gold係列器件已開始批量生產,可訂購樣品。