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Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化矽MOSFET

 


 

Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充了其碳化矽MOSFET器件組合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET產品的重要補充,也是Littelfuse公司已發布的1200V碳化矽MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益於更加緊湊節能的係統以及潛在更低的總體擁有成本。

碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000


碳化矽MOSFET技術帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多重優勢,包括電動和混動汽車、數據中心及輔助電源。相比同類的Si IGBT,LSIC1MO170E1000碳化矽MOSFET可帶來一係列係統級優化機會,包括提高效率、增加功率密度、降低冷卻要求以及降低係統級成本的可能性。


此外,相比市麵上其他業內領先的碳化矽MOSFET器件,Littelfuse碳化矽MOSFET可在各方麵提供同等或更優越的性能。

 

碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000的典型應用包括:

· 太陽能逆變器

· 開關模式和不間斷電源

· 電機驅動器

· 高壓DC/DC轉換器·感應加熱


“此產品可改善現有應用,並且Littelfuse應用支持網絡可促進新的設計方案。”Littelfuse半導體事業部電源半導體全球產品營銷經理Michael Ketterer表示。 “碳化矽MOSFET可為基於矽的傳統功率晶體管器件提供富有價值的替代選擇。相比同類IGBT,MOSFET器件結構可減少每個周期的開關損耗並提高輕載效率。固有的材料特性讓碳化矽MOSFET能夠在阻斷電壓、特定導通電阻和結電容方麵優於矽MOSFET。” 

 

新推出的1700V、1 Ohm碳化矽MOSFET采用TO-247-3L封裝,具有以下關鍵優勢

· 專為高頻、高效應用優化

· 極低柵極電荷和輸出電容

· 低柵極電阻,適用於高頻開關