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IR power MOSFETs的HEXFET® 的功率开关特性、额定参数、产品的质量和可靠性是符合工业标准的. 标准的HEXFET? 器件被认为是工业上最好power MOSFET ,在商业、工业和军用市场的电机控制和功率转换应用中可节省更多的外围保护电路,使用更加方便.

  产 品 线:
分立的 N沟道
12V
20V
30V 贴片
30V 直插
40V
55V贴片
55V直插
60V
75V
80V
100V 贴片
100V直插
150V
200V
250V
300V
400V
450V
500V
600V
650V
800V
900V
1000V
分立的 P沟道
-12V
-20V
-30V
-40V
-55V
-60V
-100V
-150V
-200V
-250V
-400V
双 HEXFET® Power MOSFET
双通道N沟道
双通道P沟道
双通道N沟道和P沟道

FETKY CoPackaged HEXFET和Schottky

HEXFET® Power MOSFET模块

HYBRID HEXFET和门驱动器


     
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