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IGBT是电压控制的功率晶体管, 它与等效的高压功率MOSFET相比有更高的电流密度. 它的驱动和输出特性比功率场效应晶体管更快更优良.在几乎所有的高压、高电流、中等频率的应用中用IGBT将更节省成本.

产品线:
分立器件 250V-430V 600V 900V-1200V	Co-Packs: 有输出二极管的IGBT 600V 900V-1200V	模块 250V-600V 1200V

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