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干货｜如何更好的驱动SiC MOSFET？
得益于宽禁带半导体的材料优势，SiC MOSFET在电力电子行业中的应用越来越广泛。SiC MOSFET很多性能与传统Si基器件不同，对驱动设计也提出了更高的要求。
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IPAC直播间 | CoolSiC™碳化硅直播季 高压碳化硅的应用设计
英飞凌IPAC | CoolSiC™碳化硅直播季第二期将为大家介绍两款将在7月正式发布的3300V高压SiC产品组合系列： 一是漏极-源极导通电阻2.0mΩ（25℃条件下），标称电流1000A的模块； 二是漏极-源极导通电阻2.6mΩ（25℃条件下），标称电流750A的模块。
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英飞凌第二代HybridPACK™ Drive 扩展结温至200℃，以提升电动车加速性能
英飞凌提供的最新HybridPACKTM Drive Gen2 SiC MOSFET都允许达到200℃，也是业界第一个标注在规格书中的最高结温，如何使用和理解该技术特点实现电驱的性能优势……
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想了解人形机器人背后的硬科技吗？来英飞凌直播为您揭晓！
本次研讨会将介绍基于英飞凌产品的机器人的现状以及未来发展应用，以及基于英飞凌产品在机器人应用中的解决方案以及成功案例分享。
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贝能国际线上官方店盛大开业，超值优惠等您来！
我们很高兴地宣布，贝能国际官方店正式开业啦！作为一家领先的IC产品授权分销商及解决方案供应商，贝能一直致力于为广大客户提供优质的电子元器件及专业的技术支持。
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解决方案再升级—— 英飞凌把蓝牙®连接距离延长至5.7公里
如上一篇文章所讲，我们在海滩进行了一次实验，对CYW20829芯片进行了测试，实现了2.3公里的蓝牙®低功耗（LE）连接距离。为了进一步增加上次测试的蓝牙连接距离，我们进行了第二次测试。这一次，我们的目标是在两个码头之间长达2.8公里的距离，维持蓝牙LE长距离连接……
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得益于宽禁带半导体的材料优势，SiC MOSFET在电力电子行业中的应用越来越广泛。SiC MOSFET很多性能与传统Si基器件不同，对驱动设计也提出了更高的要求。
2024-06-19
干货｜如何更好的驱动SiC MOSFET？
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英飞凌IPAC | CoolSiC™碳化硅直播季第二期将为大家介绍两款将在7月正式发布的3300V高压SiC产品组合系列： 一是漏极-源极导通电阻2.0mΩ（25℃条件下），标称电流1000A的模块； 二是漏极-源极导通电阻2.6mΩ（25℃条件下），标称电流750A的模块。
2024-06-17
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英飞凌提供的最新HybridPACKTM Drive Gen2 SiC MOSFET都允许达到200℃，也是业界第一个标注在规格书中的最高结温，如何使用和理解该技术特点实现电驱的性能优势……
2024-06-12
英飞凌第二代HybridPACK™ Drive 扩展结温至200℃，以提升电动车加速性能
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本次研讨会将介绍基于英飞凌产品的机器人的现状以及未来发展应用，以及基于英飞凌产品在机器人应用中的解决方案以及成功案例分享。
2024-05-30
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我们很高兴地宣布，贝能国际官方店正式开业啦！作为一家领先的IC产品授权分销商及解决方案供应商，贝能一直致力于为广大客户提供优质的电子元器件及专业的技术支持。
2024-05-22
贝能国际线上官方店盛大开业，超值优惠等您来！
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如上一篇文章所讲，我们在海滩进行了一次实验，对CYW20829芯片进行了测试，实现了2.3公里的蓝牙®低功耗（LE）连接距离。为了进一步增加上次测试的蓝牙连接距离，我们进行了第二次测试。这一次，我们的目标是在两个码头之间长达2.8公里的距离，维持蓝牙LE长距离连接……
2024-05-12
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