英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200V G2系列产品采用先进的Q-DPAK顶部冷却封装，针对高功率密度与高温运行场景优化设计，适用于电动汽车充电、光伏、UPS、固态断路器、工业驱动及AI等领域。我们现推出IMCQ120R017M2H 与 IMCQ120R034M2H 两款器件免费样品试用活动，诚邀工程师、研发团队及行业小伙伴们亲身体验！
为什么选择QDPAK封装？
Q-DPAK顶部散热封装技术旨在帮助设计师简化制造流程并提高功率密度，其核心理念在于将器件的电气连接（在底部）与热界面（在顶部）分离开来，从而巧妙结合了两种传统封装方式的优点。
传统的TO-247封装虽然能直接安装在散热器上以获得良好的热性能，但其通孔焊接（THT）工艺在PCB生产过程中需要人工处理，增加了制造复杂度。而标准的表面贴装技术（SMT）器件（如TO-263-7）虽然支持全自动处理，但热量必须通过导热率有限的PCB板耗散，限制了散热性能。采用绝缘金属衬底（IMS）虽能改善导热，却又会增加成本和设计复杂性。
CoolSiC™ Q-DPAK顶部散热封装则提供了“两全其美”的解决方案：它既保留了SMT技术所带来的全自动制造效率，又能实现媲美媲美甚至超越标准TO-247封装的热性能，通过器件顶部的专用散热面直接连接高效散热器，热量得以快速耗散，从而显著降低器件结温，提升系统可靠性。
Q-DPAK顶部散热设计支持更优化的PCB布局，这不仅减少了寄生参数和杂散电感的影响，从而降低了开关损耗和导通损耗，还允许在标准PCB的两面布置元器件，使得整体系统设计更加紧凑和简易。结合其卓越的散热能力，设计师能够在更小的空间内处理更大的功率，最终实现更高的功率密度。
产品速览
CoolSiC™ 1200 V G2 in Q-DPAK：在提升效率的同时，实现更高性能、更紧凑的设计
产品特点
- SMD顶部散热封装
- 杂散电感低
- CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技术具备优化的开关性能和FOM
- .XT扩散焊
- 最低RDS(on)
- 封装材料CTI>600, CD>4.8mm
- 优异的耐湿性能
- 雪崩保护、短路保护和寄生导通PTO保护
应用价值
- 更高功率密度
- 支持自动化组装
- 简化设计
- 优异的热性能表现
- 降低系统损耗
- 支持950V RMS工作电压
- 卓越的可靠性
- 降低TCO成本和BOM成本
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Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本，开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
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