本方案基于芯朋微chipown的PN8162+PN8307H 高性能 20W PD 充电器方案，原边主控 PN8162 和次边同步 PN8307Ｈ均实现功率集成，得益于专利智能 MOS 技术，节省启动电阻、 CS侦测电阻等多颗外围，外围电路简单，尺寸小，功率密度高。PN8162 采用负载自适应谷底开通技术，配合其他EMI处理方法，在不需要增加额外器件可以顺利通过传导辐射要求。
